三星确认解决良率疑问，3nm GAA工艺本季度量产

集微网最新消息，据韩媒报道，三星电子在第一季度财报电话亦会议中表示，在此之前已应对3nm 良率问题，3nm GAA 单晶将在上半年量产。

三星电子半导体东芝事业部总裁表示，预计二季度半导体东芝市场需求仍将保持一致供不应求的局势，三星电子将继续减少先进单晶良品率率，高度重视大的产品效益，努力缩小用电和增加当今世界的产品订单。此外，一些公司方案在上半年完成第一代GAA传统工艺质量实验者并在从业者内首次实现量产，以保障新科技领先于竞争对手。

其引述，其中5nm 传统工艺已经进入批量生产的成熟阶段，而 4nm 晶片的产能将很快开始增加，通过增加 3nm 单晶的节点开发政治体制，三星电子现在对每个都还都有一个实验者程序中。

此外他还必要，当年存在增长速度放缓、世界形势不牢固等不考虑到状况，但受5G占比大幅提高、HPC效益旺盛等状况影响，预计东芝用电短缺仍将年中。一些公司的目标是通过减少第一代GAA传统工艺的良率和牢固生产来缩小新科技差别，实现当年跃升市场需求增长速度率的增长速度，同时缩短开采量弯道期，减少盈利技能，并保障更牢固的用电。

此前台媒曾报道引述，三星电子正在努力减少其3nm GAA传统工艺良率，该传统工艺良率刚刚达到10%至20%彼此间，三星电子4nm传统工艺所制造的良率也不尽如人意，仅为30%-35%。

市场需求最新消息来源认为，三星电子第一代3nm GAA传统工艺将首先常用三星电子自研晶片的所制造，该传统工艺不太可能被结构性的产品采用。但该最新消息来源引述，三星电子的第二代3nm传统工艺将为结构性的产品的晶片设计做好立即，预计明年开始量产。

该最新消息来源指出，DRAM在继续发展GAA晶体管新科技时是否亦会面临良率问题还有待捕捉到。DRAM极有可能享有基于GAA的2nm，目标是在2025年投产。

（校对/holly）