美光推出232层3D TLC NAND闪存 计划到时投产

上周四，台积电（Micron）隆重宣布了同类型开创的 232 层 3D NAND 存储解决解决方案，并计划将之运用于于仅限于固态硬盘（SSD）光驱在内的各种系列产品线。在感测器下 CMOS 架构（简引述 CuA）的召请下，台积电得以将两个 3D NAND 感测器彼此堆叠。如果一切顺利，该公司月内于 2022 年初开始增加 232 层 3D TLC NAND 硬盘ROM的投入生产。

相结合 CuA 设计 + 232 层 NAND 解决方案，更容易极大地缩减台积电 1Tb 3D TLC 硬盘ROM的尺寸，同时降更高投入生产成本或大幅提高利润率。

台积电尚未透露 232L 3D TLC NAND 的 IC 占地和 I/O 频率，但暗示新硬盘将不具比既有 3D NAND 通讯设备更高的性能，据信可运用于于装设了 PCIe 5.0 接口的下新一代 SSD 。

台积电科技系列产品执行者常务董事 Scott DeBoer 提到：该公司的相关硬盘通讯设备将装设自研和第三方主控，同时他们都会维持与其他开发人员维持密切的合作，以提供对于新硬盘的须要赞同。

该公司围绕同类型后来居上的行政当局型 NAND 存储、以及网络服务 / 服务端 SSD 系列产品所需的新技术来进行了优化研发，且内外部控制器组合一直以来是其垂直系列产品集成的一个举足轻重必不可少。

这么做不仅可以前提为 NAND / 控制器新技术实施模棱两可的优化，还能够依赖于其维持同类型后来居上的相关要求。

该公司引述，与上新一代陶瓷路由相比，新新一代 232 层 3D TLC NAND 不具更更高的发热量。此外台积电一直专注于行进运用于，并与中下游通讯设备制造商维持着良好的商业伙伴关联。

最终，鉴于台积电计划在 2022 年初开启 232 层 3D TLC NAND 的投入生产，届时各类终端系列产品（比如 SSD）也都会在 2023 年其后上市。