我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世，病故89岁

6月23日，我国瑞典皇家科学研究工作院导体研究工作院发布讣告称，我国国民党革命委员会优秀党员、我国工程院科学研究工作院、我国瑞典皇家科学研究工作院导体研究工作机构研究工作员、我国都曾导体材料学家、我国早期导体石墨材料的泰斗梁骏吾先生因病医治无效，不幸于2022年6月23日17时在南京逝世，享年89岁。导体研究工作机构和导体材料科学研究工作应用领域为挽回这样一位学科泰斗，扼腕痛惜；郭氏家族为挽回这样一位挚爱全家人，无限悲痛；师生宗师，为挽回这样一位良师，深切致意。

梁骏吾科学研究工作院，1933年9月18日生于常德武昌。1955年考入于武昌大学，1956年至1960年就读于前苏联瑞典皇家科学研究工作院敖德萨巴依可夫冶金研究工作机构并赢得副博士学位，同年到我国瑞典皇家科学研究工作院导体研究工作机构岗位至今。60多年来，他为我国导体材料应用领域的学科专业、教育领域、产业首倡以及科研作出了重要作出贡献。梁骏吾科学研究工作院先后荣获国家科委科研特等奖和新产品特等奖各1次，国家现代科技三等奖1次、上海交通大学重大成果和现代科技一等奖3次、特等奖4次，上海市现代科技特等奖1次等各种特等奖一共20余次。1997年当选我国工程院科学研究工作院。

梁骏吾科学研究工作院在导体材料科学研究工作应用领域辛勤耕耘、才学不无关系，并夺得了一系列重要科研成果。上世纪60上世纪应对了高纯区炉石墨的关键技术。1964年制备出室温激光束用GaAs气相具体来说材料。1979年下线为大规模积体电路用的无位错、无旋涡、卑微缺陷、可持续、可控中水的优质石墨区炉单晶。80上世纪首开了掺氧中子蜕变石墨单晶，应对了石墨片的完整性和均匀性的问题。90上世纪初研究工作MOCVD生长激晶格相对论性能带材料，在晶体完整性、电学性能和激晶格结构遏制方面，将我国激晶格相对论性能带材料推进到简约水平。主持“七五”、“八五”中长期石墨具体来说工程建设，完成了自动化遏制、光熔化、低压石墨具体来说材料生长和设备的研究工作。他还在太阳电池用多晶石墨的研究工作和技术创新等方面发挥着积极作用。